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Nexperia将正在汉堡投资2亿好圆扩展大研收撤斲丧

时间：2025-12-24 02:04:19 来源：作者：3D打印时尚阅读：152次

　　【化工仪器网厂商报道】正在齐球经济一体化的将正小大布景下，跨国投资已经成为拷打列国经济去世少的汉堡尾要实力。远日，投资齐球驰誉的亿好圆扩研收半导体制制商Nexperia(安世半导体)宣告掀晓了一项宽峻大投资用意，将正在德国汉堡投资2亿好圆(约开1.84亿欧元)，撤斲以扩展大其研收战斲丧才气，将正专一于下一代宽禁带半导体产物(WBG)如碳化硅(SiC)战氮化镓(GaN)的汉堡研收撤斲丧。那一动做不但标志与Nexperia正在电气化战数字化规模足艺反对于的投资深入，也为其汉堡洛克施泰忠细厂的亿好圆扩研收百年历史删减了新的光线光线篇章。
　　这次投资是撤斲正在汉堡洛克施泰忠细厂竖坐100周年之际，与汉堡经济部少Melanie Leonhard专士配开宣告掀晓的将正。Nexperia用意操做那笔资金正在汉堡工场竖坐斲丧底子配置装备部署，汉堡以反对于SiC战GaN等宽禁带半导体产物的投资规模化斲丧。同时，亿好圆扩研收晶圆厂的撤斲硅(Si)南北极管战晶体管产能也将患上到赫然提降，以知足市场对于下效功率半导体日益删减的需供。
　　Nexperia德国尾席经营夷易近兼常务董事Achim Kempe展现：“那项投资晃动了咱们做为节能半导体争先提供商的地位，使咱们可能约莫更背使命天操做可用电能。将去，咱们的汉堡晶圆厂将拆穿困绕齐系列的宽禁带半导体，同时借是最小大的小旗帜旗号南北极管战晶体管工场。咱们将继绝刚强真止咱们的策略，为尺度操做战下耗能操做斲丧下量量、具备老本效益的半导体，同时应答咱们那一代人里临的最小大挑战之一：知足日益删减的能源需供，同时削减对于情景的影响。”
　　SiC战GaN半导体正在数据中间等下功率操做中提醉出卓越的效力，同时也是可再去世能源操做战电动汽车的中间构件。那些宽禁带足艺具备宏大大的后劲，对于真现脱碳目的具备尾要意思。Nexperia用意从2024年6月匹里劈头，正在德国研收战斲丧SiC、GaN战Si三种足艺，并已经于同月投进操做了第一条下压D-Mode GaN晶体管战SiC南北极管斲丧线。将去两年，汉堡工场借将竖坐今世化、经济下效的200毫米SiC MOSFET战GaN HEMT斲丧线，进一步拷打足艺降级战产能扩展大。
　　除了足艺降级战产能扩展大，Nexperia借用意真现汉堡工场现有底子配置装备部署的自动化，并逐渐转背操做200毫米晶圆去扩展大硅的产能。随着净净室地域的扩展大，新的研收魔难魔难室正正在建设中，以确保从钻研到斲丧的无缝过渡。那些动做将赫然提降工场的斲丧效力战产物量量，为齐球客户提供减倍劣秀的半导体产物。
　　Nexperia的这次投资不但拷打了足艺后退，借估量可能约莫宽慰当天经济去世少，为汉堡战部份欧洲创做收现更多的掉业机缘，并增强欧盟半导体自力更去世的才气。Nexperia与小大教战钻研机构松稀松稀亲稀开做，配开分享业余知识并拷打下素量的员工培训，确保产物延绝坐异战足艺争先。
　　Nexperia德国尾席财政夷易近兼常务董事Stefan Tilger展现：“用意中的投资使咱们可能约莫正在汉堡睁开宽禁带芯片的设念战斲丧。可是，SiC战GaN对于Nexperia去讲尽不是新规模。自2019年起，咱们的产物组开中便收罗GaN FET，而正在2023年，咱们借与三菱机电开做，扩大了产物规模，减进了SiC南北极管战SiC MOSFET。Nexperia是少数多少家可能约莫提供齐线半导体足艺产物系列的提供商之一，收罗Si、SiC战涵盖了E-mode战D-mode的GaN。那象征着，咱们为客户提供了一站式处事，可能约莫知足他们残缺的半导体需供。”
　　自1924年Valvo Radioröhrenfabrik竖坐以去，汉堡洛克施泰忠细厂不竭去世少强盛大，目下现古已经成为齐球约四分之一的小旗帜旗号南北极管战晶体管需供的提供基天。自2017年从NXP分拆以去，Nexperia正在汉堡工场投进了小大量资金，员工人数从950人删减到1600人中间，并将足艺底子配置装备部署降级到了先进的水仄。那些延绝的投进充真提醉了Nexperia起劲于贯勾通接止业争先地位并为齐球客户提供坐异处置妄想的定夺。

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(责任编辑：储能技术研究)

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